粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法

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	粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法
其他题名	粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法
	尧舜; 王立军; 刘云; 张彪; 姚迪; 王超
	2007-06-27
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2007-06-27
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及其制备方法。首先选取高导热金属材料制作成尺寸为(a×b×c)的矩形热沉胚体，在热沉胚体上制出直径R的通孔形成热沉基体，将圆柱体横截面分割成两半，在分割面上制出粗糙元胚体的粗糙元区，在粗糙元胚体的圆弧型底部涂焊料并嵌入通孔底部焊成整体，完成热沉的制作。结构包括：热沉基体1、通孔2和粗糙元胚体3。由于本发明引入了粗糙元技术加大通道内冷却水的湍流度，减小了水流热边界层的厚度，解决了大通道结构热阻高的缺点，提高了整体散热能力；本发明使整体结构简单、制备方便，避免了背景技术中为了减小热阻而采用微通道结构时的精密加工和焊接降低了制作成本和难度的问题。
其他摘要	本发明涉及粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及其制备方法。首先选取高导热金属材料制作成尺寸为(a×b×c)的矩形热沉胚体，在热沉胚体上制出直径R的通孔形成热沉基体，将圆柱体横截面分割成两半，在分割面上制出粗糙元胚体的粗糙元区，在粗糙元胚体的圆弧型底部涂焊料并嵌入通孔底部焊成整体，完成热沉的制作。结构包括：热沉基体1、通孔2和粗糙元胚体3。由于本发明引入了粗糙元技术加大通道内冷却水的湍流度，减小了水流热边界层的厚度，解决了大通道结构热阻高的缺点，提高了整体散热能力；本发明使整体结构简单、制备方便，避免了背景技术中为了减小热阻而采用微通道结构时的精密加工和焊接降低了制作成本和难度的问题。
授权日期	2007-06-27
申请日期	2005-04-18
专利号	CN1323472C
专利状态	失效
申请号	CN200510016714.2
公开（公告）号	CN1323472C
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01L23/473 \| H01S3/04
专利代理人	梁爱荣
代理机构	长春科宇专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39870
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	尧舜,王立军,刘云,等. 粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法. CN1323472C[P]. 2007-06-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1323472C.PDF（293KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文