エッチング方法

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	エッチング方法
其他题名	エッチング方法
	林伸彦
	1997-04-18
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	1997-07-02
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To remove a layer positioned onto the top face of a ridge section selectively through etching without using a photolithographic technique requiring mask alignment, by applying a resist film onto the surface of layer except the surface of layer positioned just above a corner section on the upper side of the ridge section, and dipping the surface side of the substrate in an etchant. CONSTITUTION:SiO2 7a is applied onto the whole surfaces of the surfaces of a ridge section 6 and a second clad layer 4 through a CVD method, etc. Resist films 11 are applied onto the surfaces of SiO2 7a except sections just above corner sections 6a, 6b on the upper side of the ridge section 6. The surface side to which at least the resist films 11 are formed is dipped in a buffer hydrofluoric acid solution. Consequently, etching is started form the surfaces of SiO2 7a exposed to sections just above the corner sections 6a, 6b on the upper side of the ridge section 6. SiO2 7a positioned onto the top face of the ridge section 6 is etched gradually with the elapse of time, and lastly all of SiO2 7a on the top face of the ridge section are removed. The resist film 11 remaining on the surface of SiO2 7a is gotten rid of after such etching, thus acquiring a specified insulating film 7.
其他摘要	目的：通过蚀刻选择性地去除位于脊部顶面上的层，而不使用需要掩模对准的光刻技术，通过将抗蚀剂膜施加到除了位于正上方角部上方的层表面之外的层的表面上。脊部的上侧，并且将基板的表面侧浸入蚀刻剂中。组成：通过CVD法等将SiO 2 7a施加到脊部6和第二覆层4的表面的整个表面上。将抗蚀剂膜11施加到SiO 2 7a的表面上，除了角部6a正上方的部分之外，在脊部6的上侧形成图6b所示的表面侧。将形成至少抗蚀剂膜11的表面侧浸渍在缓冲氢氟酸溶液中。因此，从SiO 2 7a的表面开始蚀刻，该表面暴露于脊部6的上侧的角部6a，6b正上方的部分。位于脊部6的顶面上的SiO 2 7a随着时间的推移逐渐被蚀刻。时间，最后去除脊部顶面上的所有SiO 2 7a。在这样的蚀刻之后，残留在SiO 2 7a的表面上的抗蚀剂膜11被除去，从而获得指定的绝缘膜7。
授权日期	1997-04-18
申请日期	1988-02-10
专利号	JP2627292B2
专利状态	失效
申请号	JP1988029373
公开（公告）号	JP2627292B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01L21/306 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	安富耕二 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39768
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	林伸彦. エッチング方法. JP2627292B2[P]. 1997-04-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2627292B2.PDF（22KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文