一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片

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	一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片
其他题名	一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片
	黄华茂; 杨倬波; 王洪; 胡晓龙
	2018-04-10
专利权人	华南理工大学
公开日期	2018-04-10
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本实用新型制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。
其他摘要	本实用新型公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本实用新型制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。
授权日期	2018-04-10
申请日期	2017-08-30
专利号	CN207217575U
专利状态	授权
申请号	CN201721105813.2
公开（公告）号	CN207217575U
IPC 分类号	H01L33/20 \| H01L33/48 \| H01L33/60 \| H01L33/62 \| H01L33/00
专利代理人	何淑珍
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39707
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	黄华茂,杨倬波,王洪,等. 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片. CN207217575U[P]. 2018-04-10.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN207217575U.PDF（199KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文