Method of manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser device

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	Method of manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser device
其他题名	Method of manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser device
	IGA, KENICHI; IBARAKI, AKIRA; KAWASHIMA, KENJI; FURUSAWA, KOTARO; ISHIKAWA, TORU
	1993-08-17
专利权人	RESEARCH DEVELOPMENT CORPORATION OF JAPAN
公开日期	1993-08-17
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method of manufacturing a surface-emitting-type semiconductor laser device having a buried structure. A GaAlAs film is used as a mask layer in forming a GaAlAs/GaAs system burying part around a GaAlAs/GaAs system buried part. The mask layer can be formed continuously together with an active layer, a cladding layer and the like which constitute the buried part by means of a crystal growing apparatus for forming the buried part. When the system is etched, the GaAlAs film mask prevents the system buried part from becoming undercut so that the mask has better resistance to peeling during subsequent processing.
其他摘要	一种制造具有掩埋结构的表面发射型半导体激光器件的方法。 GaAlAs膜用作掩模层，用于在GaAlAs / GaAs系统掩埋部分周围形成GaAlAs / GaAs系统掩埋部分。掩模层可以通过用于形成掩埋部分的晶体生长装置与构成掩埋部分的有源层，包层等一起连续形成。当系统被蚀刻时，GaAlAs膜掩模防止系统掩埋部分变得底切，使得掩模在随后的处理期间具有更好的抗剥离性。
授权日期	1993-08-17
申请日期	1992-05-12
专利号	US5236864
专利状态	失效
申请号	US07/883923
公开（公告）号	US5236864
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/00 \| H01S5/323 \| H01S5/227 \| H01L21/20 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	DARBY & DARBY
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39651
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	RESEARCH DEVELOPMENT CORPORATION OF JAPAN
推荐引用方式 GB/T 7714	IGA, KENICHI,IBARAKI, AKIRA,KAWASHIMA, KENJI,et al. Method of manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser device. US5236864[P]. 1993-08-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5236864.PDF（159KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文