Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レ-ザ | |
其他题名 | 半導体レ-ザ |
安井 公治; 田中 正明; 八木 重典 | |
1996-10-03 | |
专利权人 | 三菱電機株式会社 |
公开日期 | 1997-01-08 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PURPOSE:To make it possible to emit stably a high-output and high-quality laser beam by a method wherein a semiconductor laser is provided with a laser resonator consisting of a first element, by which the laser beam is partially reflected and magnified, and a second element, by which the laser beam reflected partially by the first element is reflected back to the first element. CONSTITUTION:Carriers fed from a power supply 67 are passed through a cap layer 4 and a clad layer 2 to form an active medium A laser beam generated in the medium 1 is magnified by a magnifier 8 provided on the side surface of an element, is further reflected by a reflecting mirror 9 and most of the outer peripheral part of the laser beam are emitted from parts, on which nonreflection coatings 81 are performed, on the other periphery of the magnifier 8 as a laser beam 10. Moreover, part of the center part of the laser beam is emitted to the outside through the magnifier 8 as a laser beam 1 0. In such a way, the laser beam is emitted to the outside as a high-quality beam intensified on the way by combining the beam 10 and the beam 100. Thereby, a high- output laser beam can be obtained stably without causing any deformation. |
其他摘要 | 目的:通过一种方法可以稳定地发射高输出和高质量的激光束,其中半导体激光器具有由第一元件组成的激光谐振器,激光束通过该第一元件被部分地反射和放大,以及第二元件,由第一元件部分反射的激光束通过第二元件反射回第一元件。组成:从电源67馈电的载体通过盖层4和包层2以形成活性介质介质1中产生的激光束由设置在元件侧面上的放大镜8放大。由反射镜9进一步反射,并且激光束的大部分外周部分从作为激光束10的放大镜8的另一周边上执行非反射涂层81的部分发射。此外,部分激光束的中心部分通过作为激光束10的放大镜8发射到外部。这样,通过组合激光束,激光束作为高质量的光束被发射到外面。因此,可以稳定地获得高输出激光束而不会引起任何变形。 |
授权日期 | 1996-10-03 |
申请日期 | 1987-06-03 |
专利号 | JP2568555B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1987139438 |
公开(公告)号 | JP2568555B2 |
IPC 分类号 | H01S3/05 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 早瀬 憲一 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39492 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱電機株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 安井 公治,田中 正明,八木 重典. 半導体レ-ザ. JP2568555B2[P]. 1996-10-03. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2568555B2.PDF(40KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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