Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes

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	Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes
其他题名	Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes
	YAMASAKI, SHIRO; NAGAI, SEIJI; KOIKE, MASAYOSHI; AKASAKI, ISAMU; AMANO, HIROSHI; YAMADA, ISAO; MATSUO, JIRO
	2002-11-26
专利权人	TOYOTA GOSEI CO., LTD
公开日期	2002-11-26
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method for manufacturing a laser diode using Group III nitride compound semiconductor comprising a buffer layer 2, an n+ layer 3, a cladding layer 4, an active layer 5, a p-type cladding layer 61, a contact layer 62, an SiO2 layer 9, an electrode 7 which is formed on the window formed in a portion of the SiO2 layer 9, and an electrode 8 which is formed on a portion of the n+ layer 3 by etching a portion of 4 layers from the contact layer 62 down to the cladding layer 4. One pair of opposite facets S of a cavity is formed by RIBE, and then the facets are etched by gas cluster ion beam etching using Ar gas. As a result, the facets S are flatted and the mirror reflection of the facets S is improved.
其他摘要	一种使用III族氮化物化合物半导体制造激光二极管的方法，包括缓冲层2，n +层3，包层4，有源层5，p型包层61，接触层62，SiO2层如图9所示，电极7形成在形成于SiO2层9的一部分的窗口上，电极8形成在n +层3的一部分上，通过从接触层62蚀刻4层的一部分直至通过RIBE形成腔的一对相对的刻面S，然后通过使用Ar气体的气体簇离子束刻蚀来刻蚀刻面。结果，刻面S变平并且刻面S的镜面反射得到改善。
授权日期	2002-11-26
申请日期	1998-01-08
专利号	US6486068
专利状态	失效
申请号	US09/004608
公开（公告）号	US6486068
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/00 \| H01S5/323 \| H01L21/302
专利代理人	-
代理机构	PILLSBURY WINTHROP LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39479
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOYOTA GOSEI CO., LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	YAMASAKI, SHIRO,NAGAI, SEIJI,KOIKE, MASAYOSHI,et al. Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes. US6486068[P]. 2002-11-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6486068.PDF（148KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文