Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザー | |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 中野 一志; 石橋 晃; 秋本 克洋 | |
| 2000-04-21 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2000-06-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 埋め込みなどの方法による窓形成を行う必要のない、作り付けの窓構造を有する半導体レーザーを実現する。 【構成】 (100)面方位のn型化合物半導体基板1上に、n型クラッド層2、活性層3及びp型クラッド層4から成るレーザー共振器を形成する。このレーザー共振器の中央部及び両端部はそれぞれ[110]方向及び[1-10]方向に平行にする。少なくともn型クラッド層2のn型化合物半導体基板1に対する格子不整合の絶対値は(1〜4)×10-3とし、n型クラッド層2、活性層3及びp型クラッド層4の合計の厚さは1〜3μmにする。 |
| 其他摘要 | 目的：实现具有内置窗口结构的半导体激光器，其中通过诸如掩埋等方法不需要形成窗口。构成：具有n型覆盖层2，有源层的激光谐振器如图3所示，在具有表面方向（100）的n型化合物半导体衬底1上形成p型覆层4。谐振器的中心部分和两端分别平行于方向[110]和[1-10]。与层2的基板1的晶格失配的绝对值至少为（1-4）×10 -3，并且层2,3,4的总厚度设定为1-3μm。 |
| 授权日期 | 2000-04-21 |
| 申请日期 | 1992-06-16 |
| 专利号 | JP3057285B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992181729 |
| 公开（公告）号 | JP3057285B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S5/16 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39460 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,石橋 晃,秋本 克洋. 半導体レーザー. JP3057285B2[P]. 2000-04-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3057285B2.PDF（49KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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