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粘合剂化合物和封装电子装置的方法
其他题名粘合剂化合物和封装电子装置的方法
K.凯特尔根布舍; J.格鲁瑙尔; J.埃林杰
2016-09-21
专利权人德莎欧洲股份公司
公开日期2016-09-21
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明涉及封装电子装置阻挡渗透物的方法,其中将电子装置配置在基底上,其特征在于,在真空中,使包括电子装置欲封装的区域的基底区域,优选该基底区域和电子装置欲封装的区域,与包含至少一种粘合剂化合物的片状材料接触,并由此制备复合件。
其他摘要本发明涉及封装电子装置阻挡渗透物的方法,其中将电子装置配置在基底上,其特征在于,在真空中,使包括电子装置欲封装的区域的基底区域,优选该基底区域和电子装置欲封装的区域,与包含至少一种粘合剂化合物的片状材料接触,并由此制备复合件。
授权日期2016-09-21
申请日期2011-11-03
专利号CN103348459B
专利状态授权
申请号CN201180067257.3
公开(公告)号CN103348459B
IPC 分类号H01L21/56 | H01L23/31 | H01L21/67
专利代理人王国祥
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39342
专题半导体激光器专利数据库
作者单位德莎欧洲股份公司
推荐引用方式
GB/T 7714
K.凯特尔根布舍,J.格鲁瑙尔,J.埃林杰. 粘合剂化合物和封装电子装置的方法. CN103348459B[P]. 2016-09-21.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN103348459B.PDF(1994KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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