Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 低圧MOCVDを用いたエピタキシャル膜成長法 | |
| 其他题名 | 低圧MOCVDを用いたエピタキシャル膜成長法 |
| エリック·エス·ジョンソン | |
| 1999-01-08 | |
| 专利权人 | モトローラ·インコーポレーテッド |
| 公开日期 | 1999-03-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A method for growing high quality epitaxial films using low pressure MOCVD that includes providing a substrate that is misoriented from a singular plane, placing the substrate into an MOCVD reactor at a total pressure of less than 0.2 atmospheres and then growing an epitaxial film on the substrate. When providing a misoriented gallium arsenide substrate, the MOCVD reactor is set at a temperature in the range of 650 to 750 degrees centigrade to grow an aluminum gallium arsenide film. This temperature is substantially lower than that at which aluminum gallium arsenide epitaxial films are commonly grown and the resulting film has a smooth surface morphology and enhanced photoluminesence properties. |
| 其他摘要 | 一种使用低压MOCVD生长高质量外延膜的方法，包括提供从奇异平面错误取向的衬底，将衬底放置在总压力小于0.2个大气压的MOCVD反应器中，然后在衬底上生长外延膜。当提供错误取向的砷化镓衬底时，将MOCVD反应器设定在650至750摄氏度的温度下以生长砷化铝镓薄膜。该温度显着低于通常生长砷化铝镓外延膜的温度，并且所得薄膜具有光滑的表面形态和增强的光致发光性能。 |
| 授权日期 | 1999-01-08 |
| 申请日期 | 1990-01-24 |
| 专利号 | JP2870084B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1990012784 |
| 公开（公告）号 | JP2870084B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S5/00 | C30B29/40 | C30B29/48 | H01S5/32 | C30B25/18 | C30B25/02 | C30B | H01L21/205 |
| 专利代理人 | 大貫 進介 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39326 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | モトローラ·インコーポレーテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | エリック·エス·ジョンソン. 低圧MOCVDを用いたエピタキシャル膜成長法. JP2870084B2[P]. 1999-01-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2870084B2.PDF（13KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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