垂直共振器型有機レーザアレイデバイス

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	垂直共振器型有機レーザアレイデバイス
其他题名	垂直共振器型有機レーザアレイデバイス
	キース·ビー·カーエン; リガダハリ·ジー·シャンタラマ
	2008-08-29
专利权人	イーストマンコダックカンパニー
公开日期	2008-11-05
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】ミクロンサイズの有機レーザピクセルの2次元アレイからの位相固定レーザ発光が可能な面発光有機レーザデバイスを提供する。【解決手段】垂直共振器型有機レーザアレイデバイス100は、基板110と、ピクセル200とピクセル間隔210とを画定しており、前記基板の上に配置されているパターニングされた反射率変調器150と、前記パターニングされた反射率変調器の上に配置され、所定範囲の波長を超える光を反射する底部誘電体積層体120と、レーザ発光のために前記底部誘電体積層体の上に配置されている有機活性領域130と、離間されたレーザピクセルのアレイが画定されるように前記底部誘電体層と離間されており、ピクセルがピクセル間領域より高い反射率を有し、アレイがコヒーレントな位相固定レーザ光を発するように、所定範囲の波長を超える光を反射する頂部誘電体積層体140とを備える。
其他摘要	要解决的问题：提供一种表面发射有机激光器件，其能够从每个微米尺寸的有机激光像素的二维阵列发射锁相激光。解决方案：有机垂直腔激光器阵列装置100包括基板110，限定像素200的图案化反射率调制器150和位于像素之间并设置在基板上的间隔210，用于反射波长超过a的波长的底部介电叠层120预定范围;有机有源区130设置在底部介质叠层上，用于激光发射，顶部介质叠层140与底部介质层分开，使得分离的激光像素阵列用于反射波长超过预定范围内的光，使得阵列发射相干锁相激光。 Ž
授权日期	2008-08-29
申请日期	2003-05-21
专利号	JP4175950B2
专利状态	失效
申请号	JP2003143682
公开（公告）号	JP4175950B2
IPC 分类号	H01S5/062 \| H01S3/06 \| H01S \| H01S5/36 \| H01S5/00 \| H01S5/42 \| H01S3/14
专利代理人	山田卓二 \| 田中光雄 \| 和田充夫 \| 石野正弘 \| 稲葉和久
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39310
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	イーストマンコダックカンパニー
推荐引用方式 GB/T 7714	キース·ビー·カーエン,リガダハリ·ジー·シャンタラマ. 垂直共振器型有機レーザアレイデバイス. JP4175950B2[P]. 2008-08-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4175950B2.PDF（74KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文