OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
Lateral coupled cavity semiconductor laser
其他题名Lateral coupled cavity semiconductor laser
SALZMAN, JOSEPH; LANG, ROBERT J.; YARIV, AMNON
1987-06-16
专利权人CALIFORNIA INSTUTUTE OF TECHNOLOGY
公开日期1987-06-16
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要Two or more parallel waveguide lasers of different effective length are coupled together by their evanescent waves such that the composite structure functions as a single cavity having a longitudinal mode with resonances related to the resonances of the separate cavities. A very strong selection of the composite operating frequency, and suppression of most or all of the other longitudinal modes, with frequency tuning of the composite structure (both continuously and by mode hopping), can be accomplished by varying the relative currents supplied to each laser. Upon holding one cavity at one current level for a selected operating point and shifting the other, bistable operation can be achieved.
其他摘要两个或更多个不同有效长度的平行波导激光器通过其渐逝波耦合在一起,使得复合结构用作具有纵向模式的单个腔,该纵向模式具有与分离腔的谐振相关的谐振。通过改变提供给每个激光器的相对电流,可以实现复合工作频率的非常强的选择,以及对复合结构的频率调谐(连续和通过模式跳变)的大多数或所有其他纵向模式的抑制。 。在将一个腔保持在一个电流水平以用于选定的操作点并且移动另一个时,可以实现双稳态操作。
授权日期1987-06-16
申请日期1985-03-04
专利号US4674096
专利状态失效
申请号US06/707672
公开(公告)号US4674096
IPC 分类号G02F3/00 | G02F3/02 | H01S5/40 | H01S5/00 | H01S5/062 | H01S5/10 | H01S3/08 | H01S3/10
专利代理人-
代理机构FREILICH,HORNBAKER,ROSEN & FERNANDEZ
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39183
专题半导体激光器专利数据库
作者单位CALIFORNIA INSTUTUTE OF TECHNOLOGY
推荐引用方式
GB/T 7714
SALZMAN, JOSEPH,LANG, ROBERT J.,YARIV, AMNON. Lateral coupled cavity semiconductor laser. US4674096[P]. 1987-06-16.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
US4674096.PDF(749KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[SALZMAN, JOSEPH]的文章
[LANG, ROBERT J.]的文章
[YARIV, AMNON]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[SALZMAN, JOSEPH]的文章
[LANG, ROBERT J.]的文章
[YARIV, AMNON]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[SALZMAN, JOSEPH]的文章
[LANG, ROBERT J.]的文章
[YARIV, AMNON]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。