Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光結合デバイス | |
| 其他题名 | 光結合デバイス |
| 三冨 修; 曲 克明; 伊藤 敏夫; 須崎 泰正; 川口 悦弘 | |
| 2003-06-20 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2003-09-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 異なるスポットサイズの光デバイス同士を、偏波依存性をより小さくした上で光結合ができるようにすることを目的とする。 【解決手段】 n形のInPからなる基板101の表面に、それをストライプ形状に加工することで下部クラッド層101aが形成され、この上に、化合物半導体であるInGaAsPからなるテーパコア(スポットサイズ変換領域)102と活性領域コア103が形成され、その基板101(下部クラッド層101a)におけるn形不純物の濃度が、例えば、1×1018cm-3と、2×1018cm-3未満とされている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在减少偏振依赖性后，启用具有不同光斑尺寸的光学器件的光学耦合。解决方案：通过将表面处理成条形，在由n型InP构成的基板101的表面上形成下包层101a。在表面上形成由作为化合物半导体的InGaAsP和有源区芯103组成的锥形芯102（光点尺寸转换区域）。衬底101（下包层101a）中的n型杂质的密度例如为1×1018cm-3且小于2×1018cm-3。 |
| 授权日期 | 2003-06-20 |
| 申请日期 | 1998-11-20 |
| 专利号 | JP3441385B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998330943 |
| 公开（公告）号 | JP3441385B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/50 | H01S | H01S5/20 | H01S5/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39137 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三冨 修,曲 克明,伊藤 敏夫,等. 光結合デバイス. JP3441385B2[P]. 2003-06-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3441385B2.PDF（50KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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