一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器

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	一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器
其他题名	一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器
	徐红春; 张明江; 丁深; 乔丽君; 陈奔; 张建忠; 周日凯; 刘成刚; 柴萌萌; 汪钦
	2019-09-17
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2019-09-17
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明实施例提供一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器。所述激光器芯片包括第一芯片衬底，固定于所述第一芯片衬底的上表面且依次连接的第一激光器组件、无源光波导与第二激光器组件；所述第一激光器组件与所述第二激光器组件，均为DFB与SOA的集成芯片；第一激光器组件的SOA，用于控制互注入强度，并产生放大的自发辐射噪声，以对第一激光器组件的DFB与所述第二激光器组件的DFB产生的激光进行随机扰动；第二激光器组件的SOA，用于控制输出光功率的大小，或者调节注入光功率与反馈强度的大小。本发明实施例两个激光器的混沌互注入结构产生混沌光，实现混沌同步，结构简单，易于控制。
其他摘要	本发明实施例提供一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器。所述激光器芯片包括第一芯片衬底，固定于所述第一芯片衬底的上表面且依次连接的第一激光器组件、无源光波导与第二激光器组件；所述第一激光器组件与所述第二激光器组件，均为DFB与SOA的集成芯片；第一激光器组件的SOA，用于控制互注入强度，并产生放大的自发辐射噪声，以对第一激光器组件的DFB与所述第二激光器组件的DFB产生的激光进行随机扰动；第二激光器组件的SOA，用于控制输出光功率的大小，或者调节注入光功率与反馈强度的大小。本发明实施例两个激光器的混沌互注入结构产生混沌光，实现混沌同步，结构简单，易于控制。
授权日期	2019-09-17
申请日期	2018-08-15
专利号	CN108899759B
专利状态	授权
申请号	CN201810929618.4
公开（公告）号	CN108899759B
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/12 \| H01S5/40 \| H01S5/50
专利代理人	王莹 \| 吴欢燕
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38906
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	徐红春,张明江,丁深,等. 一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器. CN108899759B[P]. 2019-09-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108899759B.PDF（332KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文