Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光芯片外延结构 | |
| 其他题名 | 半导体激光芯片外延结构 |
| 仇伯仓; 胡海 | |
| 2019-09-13 | |
| 专利权人 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 公开日期 | 2019-09-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光芯片外延结构，包括：有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层，第一包层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的至少两个第一子包层和至少一第二子包层，其中第二子包层位于两个第一子包层之间，第二子包层的折射率低于第一包层材料的折射率。通过上述方式，本发明能够同时兼顾半导体激光器的阈值电流与光束发散角，使得半导体激光器具有小阈值电流与低的光束发散角，大大改善外延材料的生长稳定性，保证半导体激光器的性能。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光芯片外延结构，包括：有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层，第一包层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的至少两个第一子包层和至少一第二子包层，其中第二子包层位于两个第一子包层之间，第二子包层的折射率低于第一包层材料的折射率。通过上述方式，本发明能够同时兼顾半导体激光器的阈值电流与光束发散角，使得半导体激光器具有小阈值电流与低的光束发散角，大大改善外延材料的生长稳定性，保证半导体激光器的性能。 |
| 授权日期 | 2019-09-13 |
| 申请日期 | 2014-10-17 |
| 专利号 | CN104393487B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201410554939.2 |
| 公开（公告）号 | CN104393487B |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/343 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 何青瓦 |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38898 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇伯仓,胡海. 半导体激光芯片外延结构. CN104393487B[P]. 2019-09-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104393487B.PDF（508KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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