一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法

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	一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法
其他题名	一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法
	苏辉; 薛正群; 黄章挺; 吴林福生
	2019-08-27
专利权人	福建中科光芯光电科技有限公司
公开日期	2019-08-27
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法，通过MOCVD外延生长技术在N‑InP衬底上依次生长N‑InP缓冲层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs多量子阱有源层、AlGaInAs上波导层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层和P‑InP覆盖层，完成一次外延结构的生长；在外延结构的P‑InGaAsP光栅层上制备两种不同周期结构的光栅，并对光栅进行后续的掩埋生长；在两种不同周期结构的光栅上分别制备脊型波导结构，形成管芯样品，所述脊型波导结构采用干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备；依次对管芯样品进行P面金属、物理减薄、N面金属、合金、解离bar条和端面光学镀膜，完成管芯制备。本发明的有益效果在于：通过调整两种不同光栅的周期和两种量子阱增益谱的位置实现在宽温度范围内波长可调的长波长单模半导体激光器。
其他摘要	本发明涉及一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法，通过MOCVD外延生长技术在N‑InP衬底上依次生长N‑InP缓冲层、AlGaInAs下波导层、AlGaInAs多量子阱有源层、AlGaInAs上波导层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层和P‑InP覆盖层，完成一次外延结构的生长；在外延结构的P‑InGaAsP光栅层上制备两种不同周期结构的光栅，并对光栅进行后续的掩埋生长；在两种不同周期结构的光栅上分别制备脊型波导结构，形成管芯样品，所述脊型波导结构采用干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备；依次对管芯样品进行P面金属、物理减薄、N面金属、合金、解离bar条和端面光学镀膜，完成管芯制备。本发明的有益效果在于：通过调整两种不同光栅的周期和两种量子阱增益谱的位置实现在宽温度范围内波长可调的长波长单模半导体激光器。
授权日期	2019-08-27
申请日期	2017-07-26
专利号	CN107248697B
专利状态	授权
申请号	CN201710620178.X
公开（公告）号	CN107248697B
IPC 分类号	H01S5/40
专利代理人	蔡学俊 \| 钟茜
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38880
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福建中科光芯光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	苏辉,薛正群,黄章挺,等. 一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法. CN107248697B[P]. 2019-08-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107248697B.PDF（375KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文