一种边射型半导体激光器芯片结构

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	一种边射型半导体激光器芯片结构
其他题名	一种边射型半导体激光器芯片结构
	师宇晨; 王兴; 罗俊岗; 张西璐; 刘虎强; 刘晨; 赵小亮; 刘阿娟; 李登科; 席人杰; 李长超
	2019-08-09
专利权人	陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
公开日期	2019-08-09
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	一种边射型半导体激光器芯片结构，包括InGaAsP量子阱层、InP包覆层、金属接触层铟镓砷层和P型掺杂InP层；InGaAsP量子阱层的一端设置有InP包覆层生长面，InP包覆层生长面的上表面低于InGaAsP量子阱层的上表面；InP包覆层设置在InP包覆层生长面，InP包覆层的上表面与InGaAsP量子阱层上表面齐平；P型掺杂InP层设置在InGaAsP量子阱层和InP包覆层的上表面；金属接触层铟镓砷层设置在P型掺杂InP层的上表面。本实用新型在端面量子阱尖角结构处，由于量子阱区厚度被缩小，导致在这一区域量子阱对光的束缚能力减弱，从而达到减小激光器芯片的发散角的目的。
其他摘要	一种边射型半导体激光器芯片结构，包括InGaAsP量子阱层、InP包覆层、金属接触层铟镓砷层和P型掺杂InP层；InGaAsP量子阱层的一端设置有InP包覆层生长面，InP包覆层生长面的上表面低于InGaAsP量子阱层的上表面；InP包覆层设置在InP包覆层生长面，InP包覆层的上表面与InGaAsP量子阱层上表面齐平；P型掺杂InP层设置在InGaAsP量子阱层和InP包覆层的上表面；金属接触层铟镓砷层设置在P型掺杂InP层的上表面。本实用新型在端面量子阱尖角结构处，由于量子阱区厚度被缩小，导致在这一区域量子阱对光的束缚能力减弱，从而达到减小激光器芯片的发散角的目的。
授权日期	2019-08-09
申请日期	2019-01-21
专利号	CN209233160U
专利状态	授权
申请号	CN201920099157.2
公开（公告）号	CN209233160U
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/06
专利代理人	徐文权
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38834
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
推荐引用方式 GB/T 7714	师宇晨,王兴,罗俊岗,等. 一种边射型半导体激光器芯片结构. CN209233160U[P]. 2019-08-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN209233160U.PDF（394KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文