Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Laser diode | |
| 其他题名 | Laser diode |
| IMANISHI, DAISUKE; MIYAZAKI, SHIGEKI; NAGANUMA, KAORI; TAKIGUCHI, YOSHIRO | |
| 2010-04-06 | |
| 专利权人 | SONY CORPORATION |
| 公开日期 | 2010-04-06 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A laser diode capable of operating at high temperature by preventing carrier overflow is provided. A laser diode includes an AlGaInP-based laminate configuration including at least a lower cladding layer, an active layer and an upper cladding layer in this order, wherein the AlGaInP-based laminate configuration receives a larger compressive stress than 2200 ppm from a stress source. |
| 其他摘要 | 提供一种能够通过防止载流子溢出而在高温下工作的激光二极管。激光二极管包括基于AlGaInP的层压构造，其依次包括至少下包层，有源层和上包层，其中基于AlGaInP的层压构造从应力源接收比2200ppm更大的压应力。 |
| 授权日期 | 2010-04-06 |
| 申请日期 | 2008-03-17 |
| 专利号 | US7693199 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US12/049884 |
| 公开（公告）号 | US7693199 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | SONNENSCHEIN NATH & ROSENTHAL LLP |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38764 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | IMANISHI, DAISUKE,MIYAZAKI, SHIGEKI,NAGANUMA, KAORI,et al. Laser diode. US7693199[P]. 2010-04-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US7693199.PDF（655KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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