Gain-coupling distributed feedback semiconductor and method of producing the same

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	Gain-coupling distributed feedback semiconductor and method of producing the same
其他题名	Gain-coupling distributed feedback semiconductor and method of producing the same
	MIZUTANI, NATSUHIKO
	1997-12-30
专利权人	CANON KABUSHIKI KAISHA
公开日期	1997-12-30
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	There is a phenomenon that, when an epitaxial growth is performed on an uneven surface, such as a periodical surface or grating surface, having surfaces with different surface indices, p- and n-type layer portions can be simultaneously formed depending on growth surface orientations if an impurity such as Si or group IV elements is used. In a gain-coupling distributed feedback laser of the present invention, that phenomenon is utilized, and a current restraint layer, which includes alternately-arranged p- and n-type layer portions, is formed in the vicinity of an active layer. Thus, current is unevenly injected into the active layer, and a periodical gain structure can be established. As a result, a distributed feedback structure is achieved, which performs a gain-coupling operation.
其他摘要	存在如下现象：当在具有不同表面指数的表面的诸如周期表面或光栅表面的不平坦表面上执行外延生长时，可以根据生长表面取向同时形成p型和n型层部分。如果使用诸如Si或IV族元素的杂质。在本发明的增益耦合分布反馈激光器中，利用该现象，并且在有源层附近形成包括交替布置的p型和n型层部分的电流抑制层。因此，电流不均匀地注入到有源层中，并且可以建立周期性增益结构。结果，实现了分布式反馈结构，其执行增益耦合操作。
授权日期	1997-12-30
申请日期	1996-06-03
专利号	US5703899
专利状态	失效
申请号	US08/659114
公开（公告）号	US5703899
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/00 \| H01S5/34 \| H01S5/30 \| H01S3/08
专利代理人	-
代理机构	FITZPATRICK,CELLA,HARPER & SCINTO
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38738
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CANON KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	MIZUTANI, NATSUHIKO. Gain-coupling distributed feedback semiconductor and method of producing the same. US5703899[P]. 1997-12-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5703899.PDF（448KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文