Method of fabricating semiconductor laser

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	Method of fabricating semiconductor laser
其他题名	Method of fabricating semiconductor laser
	FUJIHARA, KIYOSHI; ISHINO, MASATO; TAKENAKA, NAOKI
	1993-07-13
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
公开日期	1993-07-13
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An n-InP buffer layer 102, an InGaAsP active layer 103, a p-InP cladding layer 104 and a p-InGaAsP surface protective layer 105 are successively epitaxially grown on an n-InP substrate 101 having a (100) plane as a main plane. An etching mask 106, an insulating film, is formed in a stripe in the direction by photolithography and dry etching. Using a solution comprising a mixture of hydrochloric acid, oxygenated water and acetic acid, the n-InP buffer layer 102 is etched to a depth lower than the p-InP cladding layer 103, to form a mesa stripe 107. Next, the insulating film 106 is removed and the p-InGaAsP surface protective layer 105 is removed using a solution comprising a mixture of sulfuric acid and oxygenated water. Thereafter, InP current blocking layers 108 and 109 are selectively formed at the regions other than the mesa stripe 107 by the liquid-phase epitaxial growth. Thus, a buried heterostructure semiconductor laser is fabricated, having good laser characteristics and a high reliability.
其他摘要	n-InP缓冲层102，InGaAsP有源层103，p-InP包层104和p-InGaAsP表面保护层105在具有（100）面作为主要的n-InP衬底101上连续外延生长平面。通过光刻和干法蚀刻在方向上以条纹形成蚀刻掩模106，即绝缘膜。使用包含盐酸，氧化水和乙酸的混合物的溶液，将n-InP缓冲层102蚀刻至低于p-InP包层103的深度，以形成台面条107.接下来，绝缘膜除去106并使用包含硫酸和含氧水的混合物的溶液除去p-InGaAsP表面保护层105。此后，通过液相外延生长在除台面条107之外的区域选择性地形成InP电流阻挡层108和109。因此，制造了掩埋异质结半导体激光器，其具有良好的激光特性和高可靠性。
授权日期	1993-07-13
申请日期	1991-07-25
专利号	US5227015
专利状态	失效
申请号	US07/735728
公开（公告）号	US5227015
IPC 分类号	H01L21/306 \| H01L21/02 \| H01S5/00 \| H01S5/227 \| H01S5/323 \| H01S5/20 \| H01S5/12
专利代理人	-
代理机构	LOWE,PRICE,LEBLANC & BECKER
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38724
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	FUJIHARA, KIYOSHI,ISHINO, MASATO,TAKENAKA, NAOKI. Method of fabricating semiconductor laser. US5227015[P]. 1993-07-13.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5227015.PDF（282KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文