Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 河西 秀典; 林 寛; 森本 泰司; 兼岩 進治; 山口 雅広 | |
| 2000-06-09 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2000-08-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 射端面の光吸収による温度上昇を防ぐことができ、高出力状態においても高い信頼性を有する半導体レーザ素子が得られる。 【解決手段】 端面部のチャネル幅を広げる。 |
| 其他摘要 | 用途：为了防止激光器端面的温度升高，这是由谐振器端面附近的两个通道端的光吸收造成的，通过提供间隙宽度作为条纹光导通道，基于有效的折射率差异进行有源层并通过扩大谐振器的至少一个端面的部分附近的间隙宽度。组成：通过液相外延生长方法将n-GaAs电流阻挡层12堆积在p-GaAs衬底11上之后，在端面附近宽度W2 =10μm，中心W1 =4μm的间隙通过现有技术的光刻技术和蚀刻技术形成谐振器。之后，通过液相外延生长方法使p-AlGAs外包层13，p-或n-AlGaAs有源层14，p-AlGAsAs包层15和n-GaAs接触层16全部生长。之后，将全面电阻电极连接到合金化的晶片的两侧，并在宽条带宽度的部分处切割，从而制备谐振器。 |
| 授权日期 | 2000-06-09 |
| 申请日期 | 1987-12-29 |
| 专利号 | JP3075512B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996081457 |
| 公开（公告）号 | JP3075512B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/20 | H01S5/00 | H01S5/24 |
| 专利代理人 | 小池 隆彌 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38699 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河西 秀典,林 寛,森本 泰司,等. 半導体レーザ素子. JP3075512B2[P]. 2000-06-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3075512B2.PDF（49KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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