Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates
其他题名	Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates
	CHAKRABORTY, ARPAN; GRUNDMANN, MICHAEL; TYAGI, ANURAG
	2017-05-16
专利权人	SORAA, INC.
公开日期	2017-05-16
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method for providing (Al,Ga,In)N thin films on Ga-face c-plane (Al,Ga,In)N substrates using c-plane surfaces with a miscut greater than at least 0.35 degrees toward the m-direction. Light emitting devices are formed on the smooth (Al,Ga,In)N thin films. Devices fabricated on the smooth surfaces exhibit improved performance.
其他摘要	一种使用c面平面在Ga面c面（Al，Ga，In）N衬底上提供（Al，Ga，In）N薄膜的方法，所述c面朝向m方向具有大于至少0.35度的误切口。在光滑（Al，Ga，In）N薄膜上形成发光器件。在光滑表面上制造的器件表现出改进的性能。
授权日期	2017-05-16
申请日期	2016-01-11
专利号	US9653650
专利状态	授权
申请号	US14/992939
公开（公告）号	US9653650
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L21/00 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01L21/02 \| H01L33/16
专利代理人	-
代理机构	SAUL EWING LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38677
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SORAA, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	CHAKRABORTY, ARPAN,GRUNDMANN, MICHAEL,TYAGI, ANURAG. Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates. US9653650[P]. 2017-05-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US9653650.PDF（1734KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文