Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS

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	Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS
其他题名	Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS
	BUDD, RUSSELL A.; LEOBANDUNG, EFFENDI; LI, NING; PLOUCHART, JEAN-OLIVIER; SADANA, DEVENDRA K.
	2016-06-21
专利权人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
公开日期	2016-06-21
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method of forming monolithically integrated III-V optoelectronics with a silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device. The method may include; forming a buried waveguide in a buried oxide (BOX) layer of a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate; forming a first optoelectronic device and a second optoelectronic device adjacent to the buried waveguide; and forming a CMOS device on a semiconductor layer above the BOX layer.
其他摘要	一种形成具有硅互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的单片集成III-V光电子器件的方法。该方法可包括：在绝缘体上半导体（SOI）衬底的掩埋氧化物（BOX）层中形成掩埋波导;形成第一光电器件和与埋入波导相邻的第二光电器件;在BOX层上方的半导体层上形成CMOS器件。
授权日期	2016-06-21
申请日期	2015-03-30
专利号	US9372307
专利状态	授权
申请号	US14/672261
公开（公告）号	US9372307
IPC 分类号	G02B6/12 \| G02B6/122 \| H01L31/173 \| G02B6/13 \| H01S5/026 \| G02B6/10 \| H01L21/00 \| H01L33/00
专利代理人	WAKIM, ANDREW G. \| PERCELLO, LOUIS
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38669
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	BUDD, RUSSELL A.,LEOBANDUNG, EFFENDI,LI, NING,et al. Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS. US9372307[P]. 2016-06-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US9372307.PDF（995KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文