Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Strain compensation in transistors | |
| 其他题名 | Strain compensation in transistors |
| LE, VAN H.; CHU-KUNG, BENJAMIN; KAVALIEROS, JACK T.; PILLARISETTY, RAVI; RACHMADY, WILLY; KENNEL, HAROLD W. | |
| 2017-11-14 | |
| 专利权人 | INTEL CORPORATION |
| 公开日期 | 2017-11-14 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | An embodiment includes a device comprising: a first epitaxial layer, coupled to a substrate, having a first lattice constant; a second epitaxial layer, on the first layer, having a second lattice constant; a third epitaxial layer, contacting an upper surface of the second layer, having a third lattice constant unequal to the second lattice constant; and an epitaxial device layer, on the third layer, including a channel region; wherein (a) the first layer is relaxed and includes defects, (b) the second layer is compressive strained and the third layer is tensile strained, and (c) the first, second, third, and device layers are all included in a trench. Other embodiments are described herein. |
| 其他摘要 | 一个实施例包括一种器件，包括：第一外延层，耦合到衬底，具有第一晶格常数;第一层上的第二外延层，具有第二晶格常数;第三外延层，接触第二层的上表面，具有不等于第二晶格常数的第三晶格常数;外延器件层，在第三层上，包括沟道区;其中（a）第一层是松弛的并且包括缺陷，（b）第二层是压缩应变的，第三层是拉伸应变的，（c）第一，第二，第三和器件层都包括在沟槽中。本文描述了其他实施例。 |
| 授权日期 | 2017-11-14 |
| 申请日期 | 2014-03-28 |
| 专利号 | US9818884 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US15/120818 |
| 公开（公告）号 | US9818884 |
| IPC 分类号 | H01L21/00 | H01L29/786 | H01L29/00 | H01L29/15 | H01L21/02 | B82Y10/00 | B82Y40/00 | H01L29/423 | H01L29/66 | H01L29/775 | H01L29/06 | H01L29/78 | H01L29/165 | H01L29/10 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | TROP, PRUNER & HU, P.C. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38648 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | INTEL CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LE, VAN H.,CHU-KUNG, BENJAMIN,KAVALIEROS, JACK T.,et al. Strain compensation in transistors. US9818884[P]. 2017-11-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US9818884.PDF（1077KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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