Apparatus and methods for pulsed photo-excited deposition and etch

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	Apparatus and methods for pulsed photo-excited deposition and etch
其他题名	Apparatus and methods for pulsed photo-excited deposition and etch
	MOFFATT, STEPHEN
	2015-09-01
专利权人	APPLIED MATERIALS, INC.
公开日期	2015-09-01
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Embodiments of the invention provide methods for processing a substrate within a processing chamber. In one embodiment, the method comprises providing a precursor gas mixture into the processing chamber, the precursor gas mixture comprising a deposition precursor gas and an etch precursor gas, subjecting the precursor gas mixture to a thermal energy from a heat source to deposit a material layer on a surface of the substrate, wherein the thermal energy is below the minimum required for pyrolysis of the etch precursor gas, and after the material layer is formed on the surface of the substrate, subjecting the precursor gas mixture to a photon energy from a radiation source, the photon energy having a wavelength and a power level selected to promote photolytic dissociation of the etch precursor gas over the deposition precursor gas and etch a portion of the material layer from the surface of the substrate.
其他摘要	本发明的实施例提供了用于处理处理室内的基板的方法。在一个实施例中，该方法包括将前体气体混合物提供到处理室中，该前体气体混合物包括沉积前体气体和蚀刻前体气体，使前体气体混合物经受来自热源的热能以沉积材料层在基板的表面上，其中热能低于蚀刻前体气体的热解所需的最小值，并且在基板的表面上形成材料层之后，使前体气体混合物经受来自辐射的光子能量光源，光子能量具有选定的波长和功率水平，以促进蚀刻前体气体在沉积前体气体上的光解离，并从衬底表面蚀刻一部分材料层。
授权日期	2015-09-01
申请日期	2014-02-21
专利号	US9123527
专利状态	授权
申请号	US14/186783
公开（公告）号	US9123527
IPC 分类号	C03C15/00 \| H01L21/00 \| C23C16/00
专利代理人	-
代理机构	PATTERSON & SHERIDAN, LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38645
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	APPLIED MATERIALS, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	MOFFATT, STEPHEN. Apparatus and methods for pulsed photo-excited deposition and etch. US9123527[P]. 2015-09-01.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US9123527.PDF（818KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文