Photonic quantum ring laser and fabrication method thereof

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	Photonic quantum ring laser and fabrication method thereof
其他题名	Photonic quantum ring laser and fabrication method thereof
	KWON, O DAE; SHIN, MI-HYANG; LEE, SEUNG EUN; JANG, YOUNG-HEUB; KIM, YOUNG CHUN; YOON, JUNHO
	2013-08-20
专利权人	POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION
公开日期	2013-08-20
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A photonic quantum ring (PQR) laser includes an active layer having a multi-quantum-well (MQW) structure and etched lateral face. The active layer is formed to be sandwiched between p-GaN and n-GaN layers epitaxially grown on a reflector disposed over a support substrate. A coating layer is formed over an outside of the lateral faces of the active layer, and upper electrode is electrically connected to an upper portion of the n-GaN layer, and a distributed Bragg reflector (DBR) is formed over the n-GaN layer and the upper electrode. Accordingly, the PQR laser is capable of oscillating a power-saving vertically dominant 3D multi-mode laser suitable for a low power display device, prevent the light speckle phenomenon, and generate focus-adjusted 3D soft light.
其他摘要	光子量子环（PQR）激光器包括具有多量子阱（MQW）结构和蚀刻侧面的有源层。形成有源层以夹在p-GaN和n-GaN层之间，所述p-GaN和n-GaN层外延生长在设置在支撑衬底上的反射器上。在有源层的侧面的外侧上形成涂层，并且上电极电连接到n-GaN层的上部，并且在n-GaN层上形成分布式布拉格反射器（DBR）和上电极。因此，PQR激光器能够振荡适用于低功率显示装置的省电垂直显性3D多模激光器，防止光斑现象，并产生焦点调节的3D柔光。
授权日期	2013-08-20
申请日期	2012-06-15
专利号	US8513036
专利状态	失效
申请号	US13/524256
公开（公告）号	US8513036
IPC 分类号	H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	BACON & THOMAS, PLLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38606
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION
推荐引用方式 GB/T 7714	KWON, O DAE,SHIN, MI-HYANG,LEE, SEUNG EUN,et al. Photonic quantum ring laser and fabrication method thereof. US8513036[P]. 2013-08-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US8513036.PDF（197KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文