一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜

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	一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜
其他题名	一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜
	于志远; 司智春; 季安; 黄永光
	2019-06-11
专利权人	河南仕佳光子科技股份有限公司
公开日期	2019-06-11
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜，所述钝化膜为复合薄膜，包括高频SiO2薄膜和低频SiO2薄膜，低频SiO2薄膜包裹在高频SiO2薄膜上。本实用新型用等离子CVD中先高频淀积一定厚度SiO2薄膜，避免对衬底有较大的离子损伤，然后再低频淀积，提高钝化膜的致密度，提高薄膜的抗化学腐蚀性能，这样便成了高频SiO2‑低频SiO2复合薄膜。复合薄膜中高频淀积SiO2反应过程中可以降低反应腔室内等离子体对衬底的损伤，再低频SiO2层，提高薄膜致密性好，起到化学稳定性强，抗腐蚀性优异的钝化效果。并将复合薄膜广泛地用于Si、GaAs、InP、GaN等各种材质衬底的光电器件半导体激光器芯片的脊波导钝化膜，均得到良好的钝化效果。
其他摘要	本实用新型公开了一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜，所述钝化膜为复合薄膜，包括高频SiO₂薄膜和低频SiO₂薄膜，低频SiO₂薄膜包裹在高频SiO₂薄膜上。本实用新型用等离子CVD中先高频淀积一定厚度SiO₂薄膜，避免对衬底有较大的离子损伤，然后再低频淀积，提高钝化膜的致密度，提高薄膜的抗化学腐蚀性能，这样便成了高频SiO₂‑低频SiO₂复合薄膜。复合薄膜中高频淀积SiO₂反应过程中可以降低反应腔室内等离子体对衬底的损伤，再低频SiO₂层，提高薄膜致密性好，起到化学稳定性强，抗腐蚀性优异的钝化效果。并将复合薄膜广泛地用于Si、GaAs、InP、GaN等各种材质衬底的光电器件半导体激光器芯片的脊波导钝化膜，均得到良好的钝化效果。
授权日期	2019-06-11
申请日期	2018-11-21
专利号	CN208970927U
专利状态	授权
申请号	CN201821921277.8
公开（公告）号	CN208970927U
IPC 分类号	H01S5/22 \| C23C16/40 \| C23C16/513
专利代理人	张绍琳 \| 谢萍
代理机构	郑州优盾知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38599
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	河南仕佳光子科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	于志远,司智春,季安,等. 一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜. CN208970927U[P]. 2019-06-11.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208970927U.PDF（263KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文