Method for making epitaxial structure

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	Method for making epitaxial structure
其他题名	Method for making epitaxial structure
	WEI, YANG; FENG, CHEN; FAN, SHOU-SHAN
	2014-01-21
专利权人	TSINGHUA UNIVERSITY
公开日期	2014-01-21
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method for making epitaxial structure is provided. The method includes providing a substrate having an epitaxial growth surface, placing a carbon nanotube layer on the epitaxial growth surface, and epitaxially growing an epitaxial layer on the epitaxial growth surface. The carbon nanotube layer can be a carbon nanotube film drawn from a carbon nanotube array and including a plurality of successive and oriented carbon nanotubes joined end-to-end by van der Waals attractive force therebetween.
其他摘要	本发明提供一种外延结构的制备方法。该方法包括提供具有外延生长表面的衬底，在外延生长表面上放置碳纳米管层，以及在外延生长表面上外延生长外延层。所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，所述多个碳纳米管通过范德华力首尾相连，所述多个碳纳米管通过范德华力首尾相连。
授权日期	2014-01-21
申请日期	2011-10-18
专利号	US8633045
专利状态	授权
申请号	US13/275564
公开（公告）号	US8633045
IPC 分类号	H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	ALTIS LAW GROUP, INC.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38577
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TSINGHUA UNIVERSITY
推荐引用方式 GB/T 7714	WEI, YANG,FENG, CHEN,FAN, SHOU-SHAN. Method for making epitaxial structure. US8633045[P]. 2014-01-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US8633045.PDF（5286KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文