Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate

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	Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate
其他题名	Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate
	CHEN, DING-YUAN; YU, CHEN-HUA
	2012-10-02
专利权人	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
公开日期	2012-10-02
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor device includes a silicon substrate; silicon faceted structures formed on a top surface of the silicon substrate; and a group-III nitride layer over the silicon faceted structures. The silicon faceted structures are separated from each other, and have a repeated pattern.
其他摘要	一种半导体器件，包括硅衬底;形成在硅衬底顶面上的硅刻面结构;和硅刻面结构上的III族氮化物层。硅刻面结构彼此分开，并具有重复的图案。
授权日期	2012-10-02
申请日期	2011-09-02
专利号	US8278125
专利状态	授权
申请号	US13/225164
公开（公告）号	US8278125
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| H01L33/12
专利代理人	-
代理机构	SLATER & MATSIL,L.L.P.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38572
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	CHEN, DING-YUAN,YU, CHEN-HUA. Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate. US8278125[P]. 2012-10-02.