Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate | |
其他题名 | Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate |
CHEN, DING-YUAN; YU, CHEN-HUA | |
2012-10-02 | |
专利权人 | TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. |
公开日期 | 2012-10-02 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A semiconductor device includes a silicon substrate; silicon faceted structures formed on a top surface of the silicon substrate; and a group-III nitride layer over the silicon faceted structures. The silicon faceted structures are separated from each other, and have a repeated pattern. |
其他摘要 | 一种半导体器件,包括硅衬底;形成在硅衬底顶面上的硅刻面结构;和硅刻面结构上的III族氮化物层。硅刻面结构彼此分开,并具有重复的图案。 |
授权日期 | 2012-10-02 |
申请日期 | 2011-09-02 |
专利号 | US8278125 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US13/225164 |
公开(公告)号 | US8278125 |
IPC 分类号 | H01L21/00 | H01L33/00 | H01L33/12 |
专利代理人 | - |
代理机构 | SLATER & MATSIL,L.L.P. |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38572 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | CHEN, DING-YUAN,YU, CHEN-HUA. Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate. US8278125[P]. 2012-10-02. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US8278125.PDF(165KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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