Devices having removed aluminum nitride sections

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	Devices having removed aluminum nitride sections
其他题名	Devices having removed aluminum nitride sections
	CHUA, CHRISTOPHER L.; KRUSOR, BRENT S.; WUNDERER, THOMAS; JOHNSON, NOBLE M.
	2015-06-23
专利权人	PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED
公开日期	2015-06-23
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	One or more layers are epitaxially grown on a bulk crystalline AlN substrate. The epitaxial layers include a surface which is the initial surface of epitaxial growth of the epitaxial layers. The AlN substrate is substantially removed over a majority of the initial surface of epitaxial growth.
其他摘要	在块状晶体AlN衬底上外延生长一层或多层。外延层包括表面，该表面是外延层的外延生长的初始表面。在外延生长的大部分初始表面上基本上去除AlN衬底。
授权日期	2015-06-23
申请日期	2011-08-25
专利号	US9064980
专利状态	授权
申请号	US13/217844
公开（公告）号	US9064980
IPC 分类号	H01L29/15 \| H01L33/00 \| H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	HOLLINGSWORTH DAVIS, LLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38566
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED
推荐引用方式 GB/T 7714	CHUA, CHRISTOPHER L.,KRUSOR, BRENT S.,WUNDERER, THOMAS,et al. Devices having removed aluminum nitride sections. US9064980[P]. 2015-06-23.