晶体管激光器及其制作方法

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	晶体管激光器及其制作方法
其他题名	晶体管激光器及其制作方法
	梁松; 朱洪亮
	2019-05-31
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-05-31
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供了一种晶体管激光器及其制作方法，属于半导体激光器领域。本发明晶体管激光器为多层结构，从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层，基层至少包括一基极层和一量子阱层；晶体管激光器包括上下两部分，其上部分为柱状结构，柱状结构和下部分的界线位于所述下集电极层中；柱状结构内设有柱状孔，所述柱状孔的底部为所述基层，发射极电极设置在柱状结构上表面，基极电极设置在所述柱状孔底部，集电极设置在晶体管激光器下部分上表面。本晶体管激光器在工作时，不需要通过光栅或者解理面提供反馈，利用自身柱状结构与柱状孔形成的闭合环形波导回路作为谐振腔，即可实现激光的谐振。
其他摘要	本发明提供了一种晶体管激光器及其制作方法，属于半导体激光器领域。本发明晶体管激光器为多层结构，从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层，基层至少包括一基极层和一量子阱层；晶体管激光器包括上下两部分，其上部分为柱状结构，柱状结构和下部分的界线位于所述下集电极层中；柱状结构内设有柱状孔，所述柱状孔的底部为所述基层，发射极电极设置在柱状结构上表面，基极电极设置在所述柱状孔底部，集电极设置在晶体管激光器下部分上表面。本晶体管激光器在工作时，不需要通过光栅或者解理面提供反馈，利用自身柱状结构与柱状孔形成的闭合环形波导回路作为谐振腔，即可实现激光的谐振。
授权日期	2019-05-31
申请日期	2017-01-25
专利号	CN106785918B
专利状态	授权
申请号	CN201710063242.9
公开（公告）号	CN106785918B
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	曹玲柱
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38531
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	梁松,朱洪亮. 晶体管激光器及其制作方法. CN106785918B[P]. 2019-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785918B.PDF（617KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文