Laser diode and method for fabricating same

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	Laser diode and method for fabricating same
其他题名	Laser diode and method for fabricating same
	CHAKRABORTY, ARPAN; HANSEN, MONICA; DENBAARS, STEVEN; NAKAMURA, SHUJI; BRANDES, GEORGE
	2014-03-25
专利权人	CREE, INC.
公开日期	2014-03-25
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A laser diode and method for fabricating same, wherein the laser diode generally comprises an InGaN compliance layer on a GaN n-type contact layer and an AlGaN/GaN n-type strained super lattice (SLS) on the compliance layer. An n-type GaN separate confinement heterostructure (SCH) is on said n-type SLS and an InGaN multiple quantum well (MQW) active region is on the n-type SCH. A GaN p-type SCH on the MQW active region, an AlGaN/GaN p-type SLS is on the p-type SCH, and a p-type GaN contact layer is on the p-type SLS. The compliance layer has an In percentage that reduces strain between the n-type contact layer and the n-type SLS compared to a laser diode without the compliance layer. Accordingly, the n-type SLS can be grown with an increased Al percentage to increase the index of refraction. This along with other features allows for reduced threshold current and voltage operation.
其他摘要	一种激光二极管及其制造方法，其中激光二极管通常包括GaN n型接触层上的InGaN顺应层和顺应层上的AlGaN / GaN n型应变超晶格（SLS）。 n型GaN分离限制异质结构（SCH）位于所述n型SLS上，并且InGaN多量子阱（MQW）有源区位于n型SCH上。 MQW有源区上的GaN p型SCH，AlGaN / GaN p型SLS位于p型SCH上，p型GaN接触层位于p型SLS上。与没有柔性层的激光二极管相比，柔性层具有减小n型接触层和n型SLS之间的应变的In百分比。因此，可以以增加的Al百分比生长n型SLS以增加折射率。这与其他特征一起允许降低阈值电流和电压操作。
授权日期	2014-03-25
申请日期	2010-06-29
专利号	US8679876
专利状态	授权
申请号	US12/826305
公开（公告）号	US8679876
IPC 分类号	H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	KOPPEL, PATRICK, HEYBL & PHILPOTT
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38524
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CREE, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	CHAKRABORTY, ARPAN,HANSEN, MONICA,DENBAARS, STEVEN,et al. Laser diode and method for fabricating same. US8679876[P]. 2014-03-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US8679876.PDF（1159KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文