III-V nitride substrate boule and method of making and using the same

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	III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
其他题名	III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
	VAUDO, ROBERT P.; FLYNN, JEFFREY S.; BRANDES, GEORGE R.; REDWING, JOAN M.; TISCHLER, MICHAEL A.
	2011-03-29
专利权人	CREE, INC.
公开日期	2011-03-29
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A boule formed by high rate vapor phase growth of Group III-V nitride boules (ingots) on native nitride seeds, from which wafers may be derived for fabrication of microelectronic device structures. The boule is of microelectronic device quality, e.g., having a transverse dimension greater than 1 centimeter, a length greater than 1 millimeter, and a top surface defect density of less than 107 defects cm−2. The Group III-V nitride boule may be formed by growing a Group III-V nitride material on a corresponding native Group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 micrometers per hour. Nuclear transmutation doping may be applied to an (Al,Ga,In)N article comprises a boule, wafer, or epitaxial layer.
其他摘要	通过在天然氮化物晶种上的III-V族氮化物晶锭（晶锭）的高速气相生长形成的晶锭，可以从晶锭衍生晶片以制造微电子器件结构。该晶锭具有微电子器件质量，例如，横向尺寸大于1厘米，长度大于1毫米，顶表面缺陷密度小于107缺陷cm-2。 III-V族氮化物晶锭可以通过在相应的天然III-V族氮化物晶种上以大于20微米/小时的生长速率通过气相外延生长III-V族氮化物材料来形成。核嬗变掺杂可以应用于包括晶锭，晶片或外延层的（Al，Ga，In）N制品。
授权日期	2011-03-29
申请日期	2010-02-02
专利号	US7915152
专利状态	授权
申请号	US12/698144
公开（公告）号	US7915152
IPC 分类号	B01D9/00 \| C30B23/00 \| H01L21/00 \| A61L2/00 \| H01L21/44 \| H01L33/00 \| H01L29/04 \| B32B19/00 \| C30B29/38 \| H01L21/31 \| C30B25/00 \| C30B25/02 \| C30B25/18 \| C30B33/00 \| H01L21/20 \| H01L21/203 \| H01L21/205 \| H01L33/32
专利代理人	-
代理机构	GUSTAFSON, VINCENT K. HULTQUIST IP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38513
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CREE, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	VAUDO, ROBERT P.,FLYNN, JEFFREY S.,BRANDES, GEORGE R.,et al. III-V nitride substrate boule and method of making and using the same. US7915152[P]. 2011-03-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7915152.PDF（1766KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文