一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器

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	一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
其他题名	一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
	彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根
	2019-05-21
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-05-21
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本申请提供了一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，包括：衬底，依次形成于衬底上的外延层、绝缘层和电极层，外延层包括位于衬底上的N型层和位于N型层上的柱状层，柱状层包括位于N型层上的发光层和位于发光层上的P型层；柱状层与N型层上表面形成第一暴露区域；绝缘层包覆柱状层以及第一暴露区域，且与P型层上表面形成第二暴露区域，与N型层上表面形成第三暴露区域；电极层包括第一电极层和第二电极层；第一电极层包覆绝缘层，且在第二暴露区域，与P型层上表面形成第四暴露区域，与位于N型层上的、形成第三暴露区域一侧的绝缘层的水平面形成第五暴露区域；第二电极层位于第三暴露区域上。本申请实施例提高了芯片的散热性能。
其他摘要	本申请提供了一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，包括：衬底，依次形成于衬底上的外延层、绝缘层和电极层，外延层包括位于衬底上的N型层和位于N型层上的柱状层，柱状层包括位于N型层上的发光层和位于发光层上的P型层；柱状层与N型层上表面形成第一暴露区域；绝缘层包覆柱状层以及第一暴露区域，且与P型层上表面形成第二暴露区域，与N型层上表面形成第三暴露区域；电极层包括第一电极层和第二电极层；第一电极层包覆绝缘层，且在第二暴露区域，与P型层上表面形成第四暴露区域，与位于N型层上的、形成第三暴露区域一侧的绝缘层的水平面形成第五暴露区域；第二电极层位于第三暴露区域上。本申请实施例提高了芯片的散热性能。
授权日期	2019-05-21
申请日期	2018-10-16
专利号	CN208890095U
专利状态	授权
申请号	CN201821678368.3
公开（公告）号	CN208890095U
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/024
专利代理人	梁香美
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38496
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器. CN208890095U[P]. 2019-05-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208890095U.PDF（587KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文