中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库

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	半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置; 半导体激光装置
其他题名	半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置 ; 半导体激光装置
	郑宇进; 菅博文
	2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10
专利权人	浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社 ; 浜松光子学株式会社
公开日期	2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10
授权国家	中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国 ; 中国
专利类型	授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明
摘要	本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 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本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 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本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 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本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。
其他摘要	本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 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本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 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本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θs(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θs/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θs/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。; 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授权日期	2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10 ; 2019-05-10
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申请号	CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0 ; CN201580013164.0
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文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38463
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	浜松光子学株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	郑宇进,菅博文. 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置, 半导体激光装置. CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B, CN106104948B[P]. 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10, 2019-05-10.

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