Monolithically-pumped erbium-doped waveguide amplifiers and lasers

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	Monolithically-pumped erbium-doped waveguide amplifiers and lasers
其他题名	Monolithically-pumped erbium-doped waveguide amplifiers and lasers
	HALL, DOUGLAS; HUANG, MINGJUN
	2010-02-02
专利权人	UNIVERSITY OF NOTRE DAME DU LAC, THE
公开日期	2010-02-02
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Disclosed is a method of doping an oxide. The example method includes forming at least one of an AlGaAs oxide or an InAlP oxide on a GaAs substrate, and incorporating Erbium into the at least one AlGaAs oxide or InAlP oxide via ion implantation to form an Erbium-doped oxide layer. The example method also includes annealing the substrate and the at least one AlGaAs oxide or InAlP oxide.
其他摘要	公开了一种掺杂氧化物的方法。该示例方法包括在GaAs衬底上形成AlGaAs氧化物或InAlP氧化物中的至少一种，并且通过离子注入将铒掺入到至少一种AlGaAs氧化物或InAlP氧化物中以形成掺铒氧化物层。该示例方法还包括使衬底和至少一种AlGaAs氧化物或InAlP氧化物退火。
授权日期	2010-02-02
申请日期	2008-05-19
专利号	US7655489
专利状态	授权
申请号	US12/123257
公开（公告）号	US7655489
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L21/3115 \| H01L21/316
专利代理人	-
代理机构	LADAS & PARRY LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38459
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	UNIVERSITY OF NOTRE DAME DU LAC, THE
推荐引用方式 GB/T 7714	HALL, DOUGLAS,HUANG, MINGJUN. Monolithically-pumped erbium-doped waveguide amplifiers and lasers. US7655489[P]. 2010-02-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7655489.PDF（495KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文