Light emitting diode, optoelectronic device and method of fabricating the same

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	Light emitting diode, optoelectronic device and method of fabricating the same
其他题名	Light emitting diode, optoelectronic device and method of fabricating the same
	KUO, CHENG-HUANG; LAI, WEI-CHIH; KUO, CHI-WEN
	2010-11-16
专利权人	NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
公开日期	2010-11-16
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A light emitting diode structure including a substrate, a strain-reducing seed layer, an epitaxial layer, a first electrode and a second electrode is provided. The strain-reducing seed layer having a plurality of clusters is disposed on the substrate, and the material of the clusters is selected from a group consisting of aluminum nitride, magnesium nitride and indium nitride. The epitaxial layer includes a first type doped semiconductor layer, a light emitting layer and a second type doped semiconductor layer. The first electrode is disposed on the exposed first type doped semiconductor layer and electrically connected thereto. The second electrode is disposed on the second type doped semiconductor layer and electrically connected thereto.
其他摘要	提供一种发光二极管结构，包括基板，应变减小种子层，外延层，第一电极和第二电极。具有多个簇的应变减小种子层设置在基板上，并且簇的材料选自由氮化铝，氮化镁和氮化铟组成的组。外延层包括第一类型掺杂半导体层，发光层和第二类型掺杂半导体层。第一电极设置在暴露的第一类型掺杂半导体层上并与其电连接。第二电极设置在第二类型掺杂半导体层上并与其电连接。
授权日期	2010-11-16
申请日期	2008-05-09
专利号	US7833809
专利状态	授权
申请号	US12/117746
公开（公告）号	US7833809
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| H01L33/12
专利代理人	-
代理机构	JIANQ CHYUN IP OFFICE
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38456
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
推荐引用方式 GB/T 7714	KUO, CHENG-HUANG,LAI, WEI-CHIH,KUO, CHI-WEN. Light emitting diode, optoelectronic device and method of fabricating the same. US7833809[P]. 2010-11-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7833809.PDF（90KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文