Integrated optoelectronic device and method of fabricating the same

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	Integrated optoelectronic device and method of fabricating the same
其他题名	Integrated optoelectronic device and method of fabricating the same
	SHINODA, KAZUNORI; SHIOTA, TAKASHI; TSUCHIYA, TOMONOBU; KITATANI, TAKESHI; AOKI, MASAHIRO
	2008-03-04
专利权人	LUMENTUM JAPAN, INC.
公开日期	2008-03-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An integrated optoelectronic device includes optical waveguide elements containing InGaAlAs as a principal component, formed on an InP substrate and connected in an end-to-end fashion by butt jointing. An InGaAsP layer is formed on the InP substrate to suppress the mass transport of InP during the fabrication of the integrated optoelectronic device. The InGaAsP layer is formed before the InP substrate is heated at a crystal growth temperature on the order of 700° C. to form the InGaAlAs optical waveguide element.
其他摘要	集成光电器件包括含有InGaAlAs作为主要成分的光波导元件，其形成在InP衬底上并通过对接连接以端对端方式连接。在InP衬底上形成InGaAsP层，以在制造集成光电器件期间抑制InP的质量传输。在InP衬底在700℃的晶体生长温度下加热之前形成InGaAsP层，以形成InGaAlAs光波导元件。
授权日期	2008-03-04
申请日期	2007-02-02
专利号	US7340142
专利状态	授权
申请号	US11/701467
公开（公告）号	US7340142
IPC 分类号	G02F1/035 \| G02B6/10 \| G02F1/295 \| H01L21/00 \| G02B6/12 \| G02B6/26
专利代理人	-
代理机构	REED SMITH LLP FISHER,ESQ., STANLEY P. MARQUEZ,ESQ., JUAN CARLOS A.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38334
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LUMENTUM JAPAN, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	SHINODA, KAZUNORI,SHIOTA, TAKASHI,TSUCHIYA, TOMONOBU,et al. Integrated optoelectronic device and method of fabricating the same. US7340142[P]. 2008-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7340142.PDF（219KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文