Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种提高半导体激光器可靠性的制备方法 | |
| 其他题名 | 一种提高半导体激光器可靠性的制备方法 |
| 刘欢; 沈燕; 徐现刚 | |
| 2019-03-22 | |
| 专利权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 公开日期 | 2019-03-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种提高半导体激光器可靠性的制备方法，采用一次刻蚀同时去除半导体激光器脊形台面以外的欧姆接触层，并引入非注入区窗口结构。本发明基于P电极与芯片外延层的肖特基接触原理，通过一次刻蚀工艺同时去除脊形台面以外的欧姆接触层和去除腔面处的欧姆接触层引入非注入区窗口结构，形成肖特基接触层，达到防止激光器中双沟区两侧漏电、提器件可靠性以及提高COD阈值的目的。本发明只采用一次光刻工艺，制备工艺简单，适用范围广泛且兼容性强，可以与其它特殊工艺相结合，以进一步提高半导体激光器的性能。 |
| 其他摘要 | 一种提高半导体激光器可靠性的制备方法，采用一次刻蚀同时去除半导体激光器脊形台面以外的欧姆接触层，并引入非注入区窗口结构。本发明基于P电极与芯片外延层的肖特基接触原理，通过一次刻蚀工艺同时去除脊形台面以外的欧姆接触层和去除腔面处的欧姆接触层引入非注入区窗口结构，形成肖特基接触层，达到防止激光器中双沟区两侧漏电、提器件可靠性以及提高COD阈值的目的。本发明只采用一次光刻工艺，制备工艺简单，适用范围广泛且兼容性强，可以与其它特殊工艺相结合，以进一步提高半导体激光器的性能。 |
| 授权日期 | 2019-03-22 |
| 申请日期 | 2015-01-29 |
| 专利号 | CN105990790B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201510047404.0 |
| 公开（公告）号 | CN105990790B |
| IPC 分类号 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | 吕利敏 |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38323 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘欢,沈燕,徐现刚. 一种提高半导体激光器可靠性的制备方法. CN105990790B[P]. 2019-03-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105990790B.PDF（396KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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