In-situ mask removal in selective area epitaxy using metal organic chemical vapor deposition

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	In-situ mask removal in selective area epitaxy using metal organic chemical vapor deposition
其他题名	In-situ mask removal in selective area epitaxy using metal organic chemical vapor deposition
	HUFFAKER, DIANA L.; BIRODAVOLU, SANDY
	2007-10-30
专利权人	STC.UNM
公开日期	2007-10-30
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method for removing a mask in a selective area epitaxy process is provided. The method includes forming a first layer on a substrate and oxidizing the first layer. A patterned photoresist can be formed on the oxidized first layer. A portion of the oxidized first layer can then be removed using a wet chemical etch to form a mask. After removing the patterned photoresist a second layer can be epitaxially grown in a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber or a chemical beam epitaxy (CBE) chamber on a portion of the first layer exposed by the mask. The mask can then be removed the mask in the MOCVD/MBE chamber. The disclosed in-situ mask removal method minimizes both the atmospheric exposure of a growth surface and the number of sample transfers.
其他摘要	提供了一种用于在选择性区域外延工艺中去除掩模的方法。该方法包括在衬底上形成第一层并氧化第一层。可以在氧化的第一层上形成图案化的光刻胶。然后可以使用湿化学蚀刻去除一部分氧化的第一层以形成掩模。在去除图案化的光致抗蚀剂之后，可以在金属有机化学气相沉积（MOCVD）室或化学束外延（CBE）室中在由掩模暴露的第一层的一部分上外延生长第二层。然后可以将掩模从MOCVD / MBE室中的掩模上移除。所公开的原位掩模去除方法使生长表面的大气暴露和样品转移的数量最小化。
授权日期	2007-10-30
申请日期	2006-01-06
专利号	US7288423
专利状态	失效
申请号	US11/326433
公开（公告）号	US7288423
IPC 分类号	H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	MH2 TECHNOLOGY LAW GROUP,LLP.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38287
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	STC.UNM
推荐引用方式 GB/T 7714	HUFFAKER, DIANA L.,BIRODAVOLU, SANDY. In-situ mask removal in selective area epitaxy using metal organic chemical vapor deposition. US7288423[P]. 2007-10-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7288423.PDF（74KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文