Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device
其他题名	Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device
	SATO, YASUO; HINO, TOMONORI; NARUI, HIRONOBU
	2009-08-18
专利权人	SONY CORPORATION
公开日期	2009-08-18
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	In a method for making a compound semiconductor including a substrate and a compound semiconductor layer having a lattice mismatch ratio of 2% or more relative to the substrate, the method includes a first epitaxial growth step of forming a buffer layer on the substrate, the buffer layer having a predetermined distribution of lattice mismatch ratios in the thickness direction so as to reduce strain; and a second epitaxial growth step of forming the compound semiconductor layer on the buffer layer. The first epitaxial growth step is carried out by metal organic chemical vapor deposition at a deposition temperature of 600° C. or less.
其他摘要	在制造包括基板和相对于基板具有2％或更大的晶格失配率的化合物半导体层的化合物半导体的方法中，该方法包括在基板上形成缓冲层的第一外延生长步骤，缓冲层在厚度方向上具有预定的晶格失配率分布的层，以减小应变;以及在缓冲层上形成化合物半导体层的第二外延生长步骤。第一外延生长步骤通过金属有机化学气相沉积在600℃或更低的沉积温度下进行。
授权日期	2009-08-18
申请日期	2005-03-14
专利号	US7575946
专利状态	失效
申请号	US11/079405
公开（公告）号	US7575946
IPC 分类号	H01L21/00 \| C30B25/18 \| C30B29/40 \| H01L21/20 \| H01L21/205 \| H01L29/15 \| H01L31/0312 \| H01L31/10 \| H01L31/103 \| H01L31/18 \| H01L33/12 \| H01L33/30 \| H01L33/34
专利代理人	-
代理机构	SONNENSCHEIN NATH & ROSENTHAL LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38248
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	SATO, YASUO,HINO, TOMONORI,NARUI, HIRONOBU. Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device. US7575946[P]. 2009-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7575946.PDF（1024KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文