Light emitting device and method of fabricating the same

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	Light emitting device and method of fabricating the same
其他题名	Light emitting device and method of fabricating the same
	YAMADA, MASATO; TAKAHASHI, MASANOBU
	2011-07-05
专利权人	SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
公开日期	2011-07-05
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A composite growth-assisting substrate 10 is formed by epitaxially growing a separation-assisting compound semiconductor layer 10k composed of a non-GaAs III-V compound semiconductor single crystal, and then a sub-substrate 10e composed of a GaAs single crystal in this order, on a first main surface of a substrate bulk 10m composed of a GaAs single crystal. The sub-substrate portion 10e is then separated from the composite growth-assisting substrate 10, so as to be left as a residual substrate portion 1 on a second main surface of the main compound semiconductor layer 40, and a portion of the residual substrate portion 1 is cut off to thereby form a cut-off portion 1j having a bottom surface used as a light extraction surface. By this configuration, the light emitting device is provided as allowing effective use of the GaAs substrate, and increasing the light extraction efficiency.
其他摘要	通过外延生长由非GaAs III-V化合物半导体单晶构成的分离辅助化合物半导体层10k，然后依次生长由GaAs单晶构成的子衬底10e，形成复合生长辅助衬底10在由GaAs单晶构成的衬底主体10m的第一主表面上。然后，将子基板部分10e与复合生长辅助基板10分离，以便在主化合物半导体层40的第二主表面上留下作为残留基板部分1，以及剩余基板部分的一部分。切断图1所示的切口部分1j，从而形成具有用作光提取表面的底表面的切除部分1j。通过这种配置，提供发光器件以允许有效使用GaAs衬底，并提高光提取效率。
授权日期	2011-07-05
申请日期	2005-02-25
专利号	US7972892
专利状态	授权
申请号	US10/590325
公开（公告）号	US7972892
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/10 \| H01L33/30 \| H01L33/40 \| H01L33/62 \| H01S5/323
专利代理人	-
代理机构	OLIFF & BERRIDGE,PLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38243
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	YAMADA, MASATO,TAKAHASHI, MASANOBU. Light emitting device and method of fabricating the same. US7972892[P]. 2011-07-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7972892.PDF（3816KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文