Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Method of manufacturing semiconductor light emitting device | |
其他题名 | Method of manufacturing semiconductor light emitting device |
CHIBA, MARI; KUDO, HISASHI; AGATSUMA, SHINICHI | |
2007-04-24 | |
专利权人 | SONY CORPORATION |
公开日期 | 2007-04-24 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A method of manufacturing a ridge type semiconductor light emitting device includes: a process of epitaxially growing a multi-layered semiconductor layer having at least a first conductive type cladding layer, an active layer, a second conductive type first cladding layer, an etching stop layer, and a second conductive type second cladding layer on a substrate; a process of forming a ridge groove for forming a ridge; and a process of forming a current-flow barrier layer in the ridge groove. The process of forming ridge grooves has first and second anisotropic etching processes of performing anisotropic etching, an etching-mask forming process, and an isotropic etching process of performing anisotropic etching. |
其他摘要 | 一种脊型半导体发光器件的制造方法,包括:外延生长多层半导体层的工艺,所述多层半导体层至少具有第一导电型包层,有源层,第二导电型第一包层,蚀刻停止层和基板上的第二导电型第二包层;形成脊形槽以形成脊的过程;以及在脊槽中形成电流阻挡层的过程。形成脊槽的工艺具有执行各向异性蚀刻的第一和第二各向异性蚀刻工艺,蚀刻掩模形成工艺和执行各向异性蚀刻的各向同性蚀刻工艺。 |
授权日期 | 2007-04-24 |
申请日期 | 2004-12-09 |
专利号 | US7208338 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US11/008484 |
公开(公告)号 | US7208338 |
IPC 分类号 | H01L21/00 | H01L29/22 | H01L33/00 | H01S5/223 | H01L21/302 | H01S5/20 | H01S5/22 | H01S5/343 |
专利代理人 | - |
代理机构 | SONNENSCHEIN NATH & ROSENTHAL LLP |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38239 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SONY CORPORATION |
推荐引用方式 GB/T 7714 | CHIBA, MARI,KUDO, HISASHI,AGATSUMA, SHINICHI. Method of manufacturing semiconductor light emitting device. US7208338[P]. 2007-04-24. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US7208338.PDF(278KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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