Method of manufacturing semiconductor light emitting device

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	Method of manufacturing semiconductor light emitting device
其他题名	Method of manufacturing semiconductor light emitting device
	CHIBA, MARI; KUDO, HISASHI; AGATSUMA, SHINICHI
	2007-04-24
专利权人	SONY CORPORATION
公开日期	2007-04-24
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method of manufacturing a ridge type semiconductor light emitting device includes: a process of epitaxially growing a multi-layered semiconductor layer having at least a first conductive type cladding layer, an active layer, a second conductive type first cladding layer, an etching stop layer, and a second conductive type second cladding layer on a substrate; a process of forming a ridge groove for forming a ridge; and a process of forming a current-flow barrier layer in the ridge groove. The process of forming ridge grooves has first and second anisotropic etching processes of performing anisotropic etching, an etching-mask forming process, and an isotropic etching process of performing anisotropic etching.
其他摘要	一种脊型半导体发光器件的制造方法，包括：外延生长多层半导体层的工艺，所述多层半导体层至少具有第一导电型包层，有源层，第二导电型第一包层，蚀刻停止层和基板上的第二导电型第二包层;形成脊形槽以形成脊的过程;以及在脊槽中形成电流阻挡层的过程。形成脊槽的工艺具有执行各向异性蚀刻的第一和第二各向异性蚀刻工艺，蚀刻掩模形成工艺和执行各向异性蚀刻的各向同性蚀刻工艺。
授权日期	2007-04-24
申请日期	2004-12-09
专利号	US7208338
专利状态	失效
申请号	US11/008484
公开（公告）号	US7208338
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L29/22 \| H01L33/00 \| H01S5/223 \| H01L21/302 \| H01S5/20 \| H01S5/22 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	SONNENSCHEIN NATH & ROSENTHAL LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38239
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	CHIBA, MARI,KUDO, HISASHI,AGATSUMA, SHINICHI. Method of manufacturing semiconductor light emitting device. US7208338[P]. 2007-04-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7208338.PDF（278KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文