Fabricating nanoscale and atomic scale devices

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	Fabricating nanoscale and atomic scale devices
其他题名	Fabricating nanoscale and atomic scale devices
	RUESS, FRANK J.; OBERBECK, LARS; SIMMONS, MICHELLE YVONNE; GOH, K. E. JOHNSON; HAMILTON, ALEXANDER RUDOLF; MITIC, MLADEN; BRENNER, ROLF; CURSON, NEIL JONATHAN; HALLAM, TOBY
	2009-06-16
专利权人	NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
公开日期	2009-06-16
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	This invention concerns the fabrication of nanoscale and atomic scale devices. The method involves creating one or more registration markers. Using a SEM or optical microscope to form an image of the registration markers and the tip of a scanning tunnelling microscope (STM). Using the image to position and reposition the STM tip to pattern the device structure. Forming the active region of the device and then encapsulating it such that one or more of the registration markers are still visible to allow correct positioning of surface electrodes. The method can be used to form any number of device structures including quantum wires, single electron transistors, arrays or gate regions. The method can also be used to produce 3D devices by patterning subsequent layers with the STM and encapsulating in between.
其他摘要	本发明涉及纳米级和原子级器件的制造。该方法涉及创建一个或多个配准标记。使用SEM或光学显微镜形成配准标记的图像和扫描隧道显微镜（STM）的尖端。使用图像定位和重新定位STM尖端以模式化设备结构。形成器件的有源区域然后将其封装，使得一个或多个配准标记仍然可见，以允许正确定位表面电极。该方法可用于形成任何数量的器件结构，包括量子线，单电子晶体管，阵列或栅极区域。该方法还可以用于通过用STM对后续层进行图案化并封装在其间来生成3D器件。
授权日期	2009-06-16
申请日期	2004-08-20
专利号	US7547648
专利状态	授权
申请号	US10/568559
公开（公告）号	US7547648
IPC 分类号	H01L21/00 \| B82B1/00 \| B82B3/00 \| H01L21/335 \| H01L23/544
专利代理人	-
代理机构	WOOD,PHILLIPS,KATZ,CLARK & MORTIMER
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38221
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
推荐引用方式 GB/T 7714	RUESS, FRANK J.,OBERBECK, LARS,SIMMONS, MICHELLE YVONNE,et al. Fabricating nanoscale and atomic scale devices. US7547648[P]. 2009-06-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7547648.PDF（2519KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文