一种晶体管垂直腔面发射激光器

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	一种晶体管垂直腔面发射激光器
其他题名	一种晶体管垂直腔面发射激光器
	向宇; 潘时龙
	2019-02-15
专利权人	南京航空航天大学
公开日期	2019-02-15
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种晶体管垂直腔面发射激光器（T‑VCSEL），属于集成光电子器件技术领域。该T‑VCSEL包括：按照外延生长的次序依次排布的缓冲层、下端面分布式布拉格反射镜、集电极区、基极区、发射极区、上端面分布式布拉格反射镜，以及分别与集电极区、基极区、发射极区导通的集电极、基极电极、发射极电极；所述基极区中设置有量子阱有源区；所述集电极设置于所述缓冲层的背面；缓冲层与下端面分布式布拉格反射镜具有与集电极区相同的掺杂类型。本发明可以将从发射极区注入的载流子在集电极区的传输路径长度从现有的数十微米缩短至几微米，从而有效减少内阻的电压降对于器件工作状态的控制所产生的不利影响，同时改善集电极区内电势的横向分布。
其他摘要	本发明公开了一种晶体管垂直腔面发射激光器（T‑VCSEL），属于集成光电子器件技术领域。该T‑VCSEL包括：按照外延生长的次序依次排布的缓冲层、下端面分布式布拉格反射镜、集电极区、基极区、发射极区、上端面分布式布拉格反射镜，以及分别与集电极区、基极区、发射极区导通的集电极、基极电极、发射极电极；所述基极区中设置有量子阱有源区；所述集电极设置于所述缓冲层的背面；缓冲层与下端面分布式布拉格反射镜具有与集电极区相同的掺杂类型。本发明可以将从发射极区注入的载流子在集电极区的传输路径长度从现有的数十微米缩短至几微米，从而有效减少内阻的电压降对于器件工作状态的控制所产生的不利影响，同时改善集电极区内电势的横向分布。
授权日期	2019-02-15
申请日期	2016-07-13
专利号	CN105932542B
专利状态	授权
申请号	CN201610550064.8
公开（公告）号	CN105932542B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	杨楠
代理机构	北京德崇智捷知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38192
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	向宇,潘时龙. 一种晶体管垂直腔面发射激光器. CN105932542B[P]. 2019-02-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105932542B.PDF（2341KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文