Magnetically active semiconductor waveguides for optoelectronic integration

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	Magnetically active semiconductor waveguides for optoelectronic integration
其他题名	Magnetically active semiconductor waveguides for optoelectronic integration
	RAM, RAJEEV J.; ZAMAN, TAUHID; GUO, XIAOYUN
	2006-10-31
专利权人	MASSACHUSETTS INSTITUTE TECHNOLOGY
公开日期	2006-10-31
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A magneto-optical device includes a waveguide structure that has at least one cladding region and core region. The cladding region and core region comprise semiconductor alloy materials. Either the at least one cladding region or the core region is doped with ferromagnetic materials so as to increase the magneto-optical activity of the device.
其他摘要	一种磁光装置，包括具有至少一个包层区域和芯区域的波导结构。包层区域和芯区域包括半导体合金材料。至少一个包层区域或芯区域掺杂有铁磁材料，以便增加器件的磁光活性。
授权日期	2006-10-31
申请日期	2003-12-30
专利号	US7130494
专利状态	失效
申请号	US10/748358
公开（公告）号	US7130494
IPC 分类号	G02F1/295 \| H01L21/00 \| G02F1/00 \| G02F1/095
专利代理人	-
代理机构	GAUTHIER & CONNORS LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38191
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MASSACHUSETTS INSTITUTE TECHNOLOGY
推荐引用方式 GB/T 7714	RAM, RAJEEV J.,ZAMAN, TAUHID,GUO, XIAOYUN. Magnetically active semiconductor waveguides for optoelectronic integration. US7130494[P]. 2006-10-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7130494.PDF（315KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文