Semiconductor light emitting device and method for producing the same

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	Semiconductor light emitting device and method for producing the same
其他题名	Semiconductor light emitting device and method for producing the same
	TANI, KENTARO
	2006-05-09
专利权人	SHARP KABUSHIKI KAISHA
公开日期	2006-05-09
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor light emitting device includes a semiconductor substrate; a stacked semiconductor structure formed on the semiconductor substrate; a striped ridge structure; and a semiconductor current confinement layer provided on a side surface of the striped ridge structure. The stacked semiconductor structure includes a first semiconductor clad layer, a semiconductor active layer, a second semiconductor clad layer, and a semiconductor etching stop layer. The striped ridge structure includes a third semiconductor clad layer, a semiconductor intermediate layer, and a semiconductor cap layer. The striped ridge structure is provided on the semiconductor etching stop layer. An interface between the semiconductor current confinement layer and the semiconductor etching stop layer and an interface between the semiconductor current confinement layer and the striped ridge structure each have a content of impurities of less than 1×1017/cm3.
其他摘要	半导体发光器件包括半导体衬底;形成在半导体衬底上的堆叠半导体结构;条纹脊结构;半导体电流限制层设置在条纹脊结构的侧表面上。堆叠半导体结构包括第一半导体包覆层，半导体有源层，第二半导体包覆层和半导体蚀刻停止层。条纹脊结构包括第三半导体包层，半导体中间层和半导体盖层。条纹脊结构设置在半导体蚀刻停止层上。半导体电流限制层和半导体蚀刻停止层之间的界面以及半导体电流限制层和条纹脊结构之间的界面各自具有小于1×1017 / cm3的杂质含量。
授权日期	2006-05-09
申请日期	2003-07-22
专利号	US7042023
专利状态	失效
申请号	US10/625234
公开（公告）号	US7042023
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| B82Y20/00 \| H01S5/02 \| H01S5/20 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/323
专利代理人	-
代理机构	MORRISON & FOERSTER LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38165
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	TANI, KENTARO. Semiconductor light emitting device and method for producing the same. US7042023[P]. 2006-05-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7042023.PDF（115KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文