Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
High speed semiconductor photodetector | |
其他题名 | High speed semiconductor photodetector |
BOND, AARON EUGENE | |
2005-02-22 | |
专利权人 | AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LIMITED |
公开日期 | 2005-02-22 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | The invention is a semiconductor avalanche photodetector including an essentially undoped multiplication layer; a thin, undoped light absorbing layer; and a doped waveguide layer which is separate from the light absorbing layer and is capable of coupling incident light into the light absorbing layer. |
其他摘要 | 本发明是一种半导体雪崩光电探测器,包括基本上未掺杂的倍增层;薄的,未掺杂的光吸收层;掺杂波导层,与光吸收层分开,能够将入射光耦合到光吸收层中。 |
授权日期 | 2005-02-22 |
申请日期 | 2002-04-03 |
专利号 | US6858463 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US10/115226 |
公开(公告)号 | US6858463 |
IPC 分类号 | H01L31/102 | H01L31/107 | H01L27/14 | H01L21/00 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38130 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LIMITED |
推荐引用方式 GB/T 7714 | BOND, AARON EUGENE. High speed semiconductor photodetector. US6858463[P]. 2005-02-22. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US6858463.PDF(63KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[BOND, AARON EUGENE]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[BOND, AARON EUGENE]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[BOND, AARON EUGENE]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论