Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| High speed semiconductor photodetector | |
| 其他题名 | High speed semiconductor photodetector |
| BOND, AARON EUGENE | |
| 2005-02-22 | |
| 专利权人 | AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LIMITED |
| 公开日期 | 2005-02-22 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | The invention is a semiconductor avalanche photodetector including an essentially undoped multiplication layer; a thin, undoped light absorbing layer; and a doped waveguide layer which is separate from the light absorbing layer and is capable of coupling incident light into the light absorbing layer. |
| 其他摘要 | 本发明是一种半导体雪崩光电探测器，包括基本上未掺杂的倍增层;薄的，未掺杂的光吸收层;掺杂波导层，与光吸收层分开，能够将入射光耦合到光吸收层中。 |
| 授权日期 | 2005-02-22 |
| 申请日期 | 2002-04-03 |
| 专利号 | US6858463 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US10/115226 |
| 公开（公告）号 | US6858463 |
| IPC 分类号 | H01L31/102 | H01L31/107 | H01L27/14 | H01L21/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38130 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LIMITED |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BOND, AARON EUGENE. High speed semiconductor photodetector. US6858463[P]. 2005-02-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US6858463.PDF（63KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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