Light emitting diodes with graded composition active regions

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	Light emitting diodes with graded composition active regions
其他题名	Light emitting diodes with graded composition active regions
	BOUR, DAVID P.; GARDNER, NATHAN F.; GOETZ, WERNER K.; STOCKMAN, STEPHEN A.; TAKEUCHI, TETSUYA; HASNAIN, GHULAM; KOCOT, CHRISTOPHER P.; HUESCHEN, MARK R.
	2005-10-18
专利权人	LUMILEDS LLC
公开日期	2005-10-18
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A light emitting device in accordance with an embodiment of the present invention includes a first semiconductor layer of a first conductivity type having a first surface, and an active region formed overlying the first semiconductor layer. The active region includes a second semiconductor layer which is either a quantum well layer or a barrier layer. The second semiconductor layer is formed from a semiconductor alloy having a composition graded in a direction substantially perpendicular to the first surface of the first semiconductor layer. The light emitting device also includes a third semiconductor layer of a second conductivity type formed overlying the active region.
其他摘要	根据本发明实施例的发光器件包括具有第一表面的第一导电类型的第一半导体层，以及形成在第一半导体层上的有源区。有源区包括第二半导体层，该第二半导体层是量子阱层或阻挡层。第二半导体层由半导体合金形成，该半导体合金具有在基本垂直于第一半导体层的第一表面的方向上渐变的成分。发光器件还包括形成在有源区上的第二导电类型的第三半导体层。
授权日期	2005-10-18
申请日期	2001-07-24
专利号	US6955933
专利状态	失效
申请号	US09/912589
公开（公告）号	US6955933
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	PATENT LAW GROUP LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38112
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LUMILEDS LLC
推荐引用方式 GB/T 7714	BOUR, DAVID P.,GARDNER, NATHAN F.,GOETZ, WERNER K.,et al. Light emitting diodes with graded composition active regions. US6955933[P]. 2005-10-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6955933.PDF（641KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文