Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光器芯片 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光器芯片 |
| 颜建; 胡双元; 吴文俊; 黄勇; 米卡·瑞桑 | |
| 2018-12-21 | |
| 专利权人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 公开日期 | 2018-12-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器芯片，包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧，与激光器外延结构的电极连接；太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接。在双面抛光衬底的正反面分别生长半导体激光器外延结构与太阳能电池外延结构，用金线和热沉实现电气连接，使半导体激光器芯片能够依靠自身结构中的太阳能电池供电，提高器件的集成度。 |
| 其他摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器芯片，包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧，与激光器外延结构的电极连接；太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接。在双面抛光衬底的正反面分别生长半导体激光器外延结构与太阳能电池外延结构，用金线和热沉实现电气连接，使半导体激光器芯片能够依靠自身结构中的太阳能电池供电，提高器件的集成度。 |
| 授权日期 | 2018-12-21 |
| 申请日期 | 2018-04-09 |
| 专利号 | CN208272357U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201820494219.5 |
| 公开（公告）号 | CN208272357U |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/042 |
| 专利代理人 | 马永芬 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37945 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜建,胡双元,吴文俊,等. 一种半导体激光器芯片. CN208272357U[P]. 2018-12-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN208272357U.PDF（436KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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